화학&기타
Cleaning Solution
INO-C500 (SAPPHIRE WAFER LAPPING 후 세정제)
조성계 : SC-1(H2O2 +NH4OH) base로 세정력 극대화한 2액형 세정제
특징 : SC-1 Base에 Particle 재흡착 방지 및 유기물 세정력 향상
세정 공정
1
1차 세정
Wafer : 40매 / Chemical : 80 Liter
50℃ 10min
2
1차 Rinse
Wafer : 40매
상온 10min
3
2차 세정
Wafer : 40매 / Chemical : 80 Liter
50℃ 10min
4
2차 Rinse
Wafer : 40매
상온 10min
5
3차 Rinse
Wafer : 40매
상온 10min
6
Air Dry
Wafer : 40매
열풍 건조