SiC는 반도체 소재의 대표적인 소재로 넓은 밴드갭, 높은 열전도율, 높은 전자 포화 속도, 높은 항복 전기장 특성을 갖고 있습니다. SiC 소자는 실제 응용 분야에서 기존 반도체 소재 소자의 단점을 보완해 점차 전력반도체 분야의 주류로 자리잡고 있습니다. 현재 고순도 SiC 제조를 위한 Raw Material를 연구 개발 중 이며, 자세한 사항은 문의 바랍니다.
